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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > EPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT
Modelo do Produto:
EPC2107ENGRT
Fabricante:
EPC
Descrição:
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14437 Pieces
Ficha de dados:
EPC2107ENGRT.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 100µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:Die
Série:eGaN®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:320 mOhm @ 2A, 5V
Power - Max:-
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:Die
Outros nomes:917-EPC2107ENGRTR
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:EPC2107ENGRT
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:16pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:0.16nC @ 5V
Tipo FET:3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Característica FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Descrição expandida:Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount Die
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.7A, 500mA
Email:[email protected]

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