Comprar ES6U1T2R com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
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Vgs (Max): | ±10V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | 6-WEMT |
Série: | - |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V |
Dissipação de energia (Max): | 700mW (Ta) |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | SOT-563, SOT-666 |
Outros nomes: | ES6U1T2RTR |
Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
Número de peça do fabricante: | ES6U1T2R |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 290pF @ 6V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.4nC @ 4.5V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
Descrição expandida: | P-Channel 12V 1.3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 1.5V, 4.5V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 12V |
Descrição: | MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 1.3A (Ta) |
Email: | [email protected] |