FCA16N60N
FCA16N60N
Modelo do Produto:
FCA16N60N
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 600V TO-3PN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15377 Pieces
Ficha de dados:
FCA16N60N.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3P
Série:SupreMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:199 mOhm @ 8A, 10V
Dissipação de energia (Max):134.4W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:13 Weeks
Número de peça do fabricante:FCA16N60N
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2170pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:52.3nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 16A (Tc) 134.4W (Tc) Through Hole TO-3P
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V TO-3PN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

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