FCP150N65F
Modelo do Produto:
FCP150N65F
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13593 Pieces
Ficha de dados:
FCP150N65F.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.4mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220-3
Série:HiPerFET™, Polar™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:150 mOhm @ 12A, 10V
Dissipação de energia (Max):298W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:FCP150N65F
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3737pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:93nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 650V 24A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):650V
Descrição:MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

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