FDB016N04AL7
FDB016N04AL7
Modelo do Produto:
FDB016N04AL7
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17837 Pieces
Ficha de dados:
FDB016N04AL7.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D²PAK (TO-263)
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.6 mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max):283W (Tc)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Outros nomes:FDB016N04AL7DKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:FDB016N04AL7
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:11600pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:167nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 40V 160A (Tc) 283W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição:MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:160A (Tc)
Email:[email protected]

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