FDB86135
FDB86135
Modelo do Produto:
FDB86135
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 100V D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19023 Pieces
Ficha de dados:
FDB86135.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D²PAK (TO-263AB)
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.5 mOhm @ 75A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.4W (Ta), 227W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:FDB86135-ND
FDB86135TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:FDB86135
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7295pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:116nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 75A (Tc) 2.4W (Ta), 227W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

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