FDC642P_F085
FDC642P_F085
Modelo do Produto:
FDC642P_F085
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 4A 6SSOT
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12973 Pieces
Ficha de dados:
FDC642P_F085.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SuperSOT™-6
Série:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:65 mOhm @ 4A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):1.2W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes:FDC642P_F085-ND
FDC642P_F085TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:FDC642P_F085
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:640pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 20V 4A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET P-CH 20V 4A 6SSOT
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

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