FDD2612
FDD2612
Modelo do Produto:
FDD2612
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14074 Pieces
Ficha de dados:
FDD2612.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:720 mOhm @ 1.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):42W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:FDD2612
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:234pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 200V 4.9A (Ta) 42W (Ta) Surface Mount TO-252
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição:MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.9A (Ta)
Email:[email protected]

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