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FDD3510H
- Modelo do Produto:
- FDD3510H
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17672 Pieces
- Ficha de dados:
- FDD3510H.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para FDD3510H, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para FDD3510H por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-252-4L |
| Série: | PowerTrench® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 80 mOhm @ 4.3A, 10V |
| Power - Max: | 1.3W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Outros nomes: | FDD3510HTR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 17 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | FDD3510H |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 800pF @ 40V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel, Common Drain |
| Característica FET: | Logic Level Gate |
| Descrição expandida: | Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 80V 4.3A, 2.8A 1.3W Surface Mount TO-252-4L |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 80V |
| Descrição: | MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 4.3A, 2.8A |
| Email: | [email protected] |
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