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FDFME2P823ZT
- Modelo do Produto:
- FDFME2P823ZT
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 13519 Pieces
- Ficha de dados:
- FDFME2P823ZT.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para FDFME2P823ZT, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para FDFME2P823ZT por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| Série: | PowerTrench® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 142 mOhm @ 2.3A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max): | 1.4W (Ta) |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Outros nomes: | FDFME2P823ZTDKR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | FDFME2P823ZT |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 405pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.7nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Descrição expandida: | P-Channel 20V 2.6A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 1.8V, 4.5V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição: | MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 2.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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