FDFS2P106A
FDFS2P106A
Modelo do Produto:
FDFS2P106A
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14771 Pieces
Ficha de dados:
FDFS2P106A.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOIC
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:110 mOhm @ 3A, 10V
Dissipação de energia (Max):900mW (Ta)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:FDFS2P106ADKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:FDFS2P106A
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:714pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:Schottky Diode (Isolated)
Descrição expandida:P-Channel 60V 3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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