FDG311N
Modelo do Produto:
FDG311N
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13368 Pieces
Ficha de dados:
FDG311N.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-70-6
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:115 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):750mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:FDG311N-ND
FDG311NTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:9 Weeks
Número de peça do fabricante:FDG311N
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:270pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:4.5nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 20V 1.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-70-6
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.9A (Ta)
Email:[email protected]

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