FDMB3800N
FDMB3800N
Modelo do Produto:
FDMB3800N
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16887 Pieces
Ficha de dados:
FDMB3800N.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:40 mOhm @ 4.8A, 10V
Power - Max:750mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerWDFN
Outros nomes:FDMB3800NTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:FDMB3800N
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:465pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:5.6nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.8A 750mW Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.8A
Email:[email protected]

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