FDMC012N03
Modelo do Produto:
FDMC012N03
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14644 Pieces
Ficha de dados:
FDMC012N03.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.23 mOhm @ 35A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.3W (Ta), 64W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerWDFN
Outros nomes:FDMC012N03TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:26 Weeks
Número de peça do fabricante:FDMC012N03
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8183pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:110nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 35A (Ta), 185A (Tc) 2.3W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:35A (Ta), 185A (Tc)
Email:[email protected]

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