FDMC8884_F126
FDMC8884_F126
Modelo do Produto:
FDMC8884_F126
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V PWR33
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19951 Pieces
Ficha de dados:
FDMC8884_F126.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-MLP (3.3x3.3)
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:19 mOhm @ 9A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.3W (Ta), 18W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerWDFN
Outros nomes:FDMC8884_F126TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:FDMC8884_F126
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:685pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 9A (Ta), 15A (Tc) 2.3W (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V PWR33
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9A (Ta), 15A (Tc)
Email:[email protected]

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