FDMS6673BZ
Modelo do Produto:
FDMS6673BZ
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 15.2A POWER56
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18000 Pieces
Ficha de dados:
FDMS6673BZ.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-PQFN (5x6), Power56
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6.8 mOhm @ 15.2A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.5W (Ta), 73W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:FDMS6673BZTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:18 Weeks
Número de peça do fabricante:FDMS6673BZ
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5915pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:130nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 30V 15.2A (Ta), 28A (Tc) 2.5W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET P-CH 30V 15.2A POWER56
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:15.2A (Ta), 28A (Tc)
Email:[email protected]

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