FDMS86350ET80
FDMS86350ET80
Modelo do Produto:
FDMS86350ET80
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
20824 Pieces
Ficha de dados:
FDMS86350ET80.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:Power56
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.4 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.3W (Ta), 187W (Tc)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:FDMS86350ET80DKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:FDMS86350ET80
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8030pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:155nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 80V 25A (Ta), 198A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount Power56
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):8V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):80V
Descrição:MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:25A (Ta), 198A (Tc)
Email:[email protected]

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