FDN306P
Modelo do Produto:
FDN306P
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15999 Pieces
Ficha de dados:
1.FDN306P.pdf2.FDN306P.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SuperSOT-3
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:40 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):500mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:FDN306P_F095
FDN306P_F095TR
FDN306P_F095TR-ND
FDN306PF095
FDN306PTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:20 Weeks
Número de peça do fabricante:FDN306P
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1138pF @ 6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 12V 2.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição:MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.6A (Ta)
Email:[email protected]

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