FDN86265P
Modelo do Produto:
FDN86265P
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 150V 0.8A 3SSOT
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
20277 Pieces
Ficha de dados:
1.FDN86265P.pdf2.FDN86265P.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SuperSOT-3
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.2 Ohm @ 800mA, 10V
Dissipação de energia (Max):1.5W (Ta)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:FDN86265PDKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:FDN86265P
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:210pF @ 75V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:4.1nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 150V 800mA (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):150V
Descrição:MOSFET P-CH 150V 0.8A 3SSOT
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:800mA (Ta)
Email:[email protected]

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