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FDP3651U
- Modelo do Produto:
- FDP3651U
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15367 Pieces
- Ficha de dados:
- 1.FDP3651U.pdf2.FDP3651U.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para FDP3651U, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para FDP3651U por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220-3 |
| Série: | PowerTrench® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 18 mOhm @ 80A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 255W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-3 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 6 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | FDP3651U |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 5522pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 69nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 100V 80A (Tc) 255W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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