FDP8878
Modelo do Produto:
FDP8878
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17870 Pieces
Ficha de dados:
1.FDP8878.pdf2.FDP8878.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220-3
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:15 mOhm @ 40A, 10V
Dissipação de energia (Max):40.5W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:FDP8878
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1235pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 40A (Tc) 40.5W (Tc) Through Hole TO-220-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

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