FDR838P
Modelo do Produto:
FDR838P
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19358 Pieces
Ficha de dados:
FDR838P.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SuperSOT™-8
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:17 mOhm @ 8A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):1.8W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SMD, Gull Wing
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:FDR838P
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3300pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 20V 8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8A (Ta)
Email:[email protected]

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