FDS86140
FDS86140
Modelo do Produto:
FDS86140
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14330 Pieces
Ficha de dados:
FDS86140.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:9.8 mOhm @ 11.2A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.5W (Ta), 5W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:FDS86140-ND
FDS86140TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:FDS86140
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2580pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:41nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 11.2A (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11.2A (Ta)
Email:[email protected]

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