FDT86102LZ
Modelo do Produto:
FDT86102LZ
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15393 Pieces
Ficha de dados:
1.FDT86102LZ.pdf2.FDT86102LZ.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-223-4
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:28 mOhm @ 6.6A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.2W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-261-4, TO-261AA
Outros nomes:FDT86102LZ-ND
FDT86102LZFSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:FDT86102LZ
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1490pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 6.6A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6.6A (Ta)
Email:[email protected]

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