FDU8870
FDU8870
Modelo do Produto:
FDU8870
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 160A I-PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12183 Pieces
Ficha de dados:
FDU8870.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-251
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.9 mOhm @ 35A, 10V
Dissipação de energia (Max):160W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:FDU8870
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5160pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:118nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 21A (Ta), 160A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-251
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 160A I-PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:21A (Ta), 160A (Tc)
Email:[email protected]

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