FDZ663P
FDZ663P
Modelo do Produto:
FDZ663P
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13919 Pieces
Ficha de dados:
FDZ663P.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.2V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:4-WLCSP (0.80x0.80)
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:134 mOhm @ 2A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):1.3W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:4-XFBGA, WLCSP
Outros nomes:FDZ663P-ND
FDZ663PTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:FDZ663P
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:525pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:8.2nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 20V 2.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.80x0.80)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

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