FGA30T65SHD
FGA30T65SHD
Modelo do Produto:
FGA30T65SHD
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
IGBT 650V 60A 238W TO-3PN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13310 Pieces
Ficha de dados:
FGA30T65SHD.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.1V @ 15V, 30A
Condição de teste:400V, 30A, 6 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:14.4ns/52.8ns
Alternando Energia:598µJ (on), 167µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3PN
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):31.8ns
Power - Max:238W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:32 Weeks
Número de peça do fabricante:FGA30T65SHD
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
portão de carga:54.7nC
Descrição expandida:IGBT Trench Field Stop 650V 60A 238W Through Hole TO-3PN
Descrição:IGBT 650V 60A 238W TO-3PN
Atual - Collector Pulsada (ICM):90A
Atual - Collector (Ic) (Max):60A
Email:[email protected]

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