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FJBE2150DTU
- Modelo do Produto:
- FJBE2150DTU
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrição:
- TRANS NPN 800V 2A D2-PAK-2L
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 16154 Pieces
- Ficha de dados:
- FJBE2150DTU.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para FJBE2150DTU, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para FJBE2150DTU por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 800V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 330mA, 1A |
| Tipo transistor: | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | D²PAK (TO-263) |
| Série: | ESBC™ |
| Power - Max: | 110W |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 6 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | FJBE2150DTU |
| Frequência - Transição: | 5MHz |
| Descrição expandida: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 2A 5MHz 110W Surface Mount D²PAK (TO-263) |
| Descrição: | TRANS NPN 800V 2A D2-PAK-2L |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 20 @ 400mA, 3V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 100µA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
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