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FJN3312RTA
- Modelo do Produto:
- FJN3312RTA
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrição:
- TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19568 Pieces
- Ficha de dados:
- FJN3312RTA.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para FJN3312RTA, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para FJN3312RTA por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 40V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-92-3 |
| Série: | - |
| Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms): | - |
| Resistor - Base (R1) (Ohms): | 47k |
| Power - Max: | 300mW |
| Embalagem: | Tape & Box (TB) |
| Caixa / Gabinete: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | FJN3312RTA |
| Frequência - Transição: | 250MHz |
| Descrição expandida: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3 |
| Descrição: | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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