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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FQA10N80C_F109
FQA10N80C_F109
FQA10N80C_F109
Modelo do Produto:
FQA10N80C_F109
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19964 Pieces
Ficha de dados:
FQA10N80C_F109.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3P
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.1 Ohm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max):240W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-3P-3, SC-65-3
Outros nomes:FQA10N80C_F109-ND
FQA10N80C_F109FS
FQA10N80CF109
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:13 Weeks
Número de peça do fabricante:FQA10N80C_F109
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2800pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:58nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 800V 10A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P
Escorra a tensão de fonte (Vdss):800V
Descrição:MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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