Comprar FQB4N90TM com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | D²PAK (TO-263AB) |
Série: | QFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 3.3 Ohm @ 2.1A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 3.13W (Ta), 140W (Tc) |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de peça do fabricante: | FQB4N90TM |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | N-Channel 900V 4.2A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 900V |
Descrição: | MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 4.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |