Comprar FQD20N06LTM com BYCHPS
Compre com garantia
FQD20N06LTM
- Modelo do Produto:
- FQD20N06LTM
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 16924 Pieces
- Ficha de dados:
- 1.FQD20N06LTM.pdf2.FQD20N06LTM.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para FQD20N06LTM, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para FQD20N06LTM por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | D-Pak |
| Série: | QFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 60 mOhm @ 8.6A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | FQD20N06LTM |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 630pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 60V 17.2A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 60V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 17.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para FQD20N06LTM
| Imagem | Modelo do Produto | Fabricantes | Descrição | Visão |
|---|---|---|---|---|
 |
FQD12P10TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK | inquérito |
 |
PMPB12UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN | inquérito |
|
FQD20N06LTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK | inquérito |
|
FQD20N06TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK | inquérito |
|
FQD20N06TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK | inquérito |
 |
SIA427ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70 | inquérito |
|
FDD306P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK | inquérito |
|
FQD20N06LETM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK | inquérito |
 |
EPC2012C | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | inquérito |
 |
BUK7210-55B/C1,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V DPAK | inquérito |
|
HUF76629D3ST | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 20A DPAK | inquérito |
 |
IPI80P04P4L04AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO262-3 | inquérito |
Latest Notícias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers