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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FQD2N60CTM_WS
FQD2N60CTM_WS
FQD2N60CTM_WS
Modelo do Produto:
FQD2N60CTM_WS
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 1.9A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19785 Pieces
Ficha de dados:
FQD2N60CTM_WS.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D-Pak
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4.7 Ohm @ 950mA, 10V
Dissipação de energia (Max):2.5W (Ta), 44W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:FQD2N60CTM_WSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:FQD2N60CTM_WS
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:235pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 1.9A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-Pak
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 1.9A
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.9A (Tc)
Email:[email protected]

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