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FQN1N50CBU
- Modelo do Produto:
- FQN1N50CBU
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17018 Pieces
- Ficha de dados:
- FQN1N50CBU.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para FQN1N50CBU, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para FQN1N50CBU por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-92-3 |
| Série: | QFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 6 Ohm @ 190mA, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 890mW (Ta), 2.08W (Tc) |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | FQN1N50CBU |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 195pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.4nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 500V 380mA (Tc) 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Through Hole TO-92-3 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 500V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 380mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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