GA05JT01-46
GA05JT01-46
Modelo do Produto:
GA05JT01-46
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição:
TRANS SJT 100V 9A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17992 Pieces
Ficha de dados:
GA05JT01-46.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):3.45V
Tecnologia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-46
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:240 mOhm @ 5A
Dissipação de energia (Max):20W (Tc)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-46-3
Outros nomes:1242-1251
Temperatura de operação:-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:18 Weeks
Número de peça do fabricante:GA05JT01-46
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:-
Característica FET:-
Descrição expandida:100V 9A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-46
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):-
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:TRANS SJT 100V 9A
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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