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GA20JT12-263
- Modelo do Produto:
- GA20JT12-263
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrição:
- TRANS SJT 1200V 45A
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17428 Pieces
- Ficha de dados:
- GA20JT12-263.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para GA20JT12-263, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para GA20JT12-263 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| Vgs (Max): | 3.44V |
| Tecnologia: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | - |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 60 mOhm @ 20A |
| Dissipação de energia (Max): | 282W (Tc) |
| Embalagem: | - |
| Caixa / Gabinete: | - |
| Outros nomes: | 1242-1189 GA20JT12-247ISO GA20JT12247ISO |
| Temperatura de operação: | 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | - |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 18 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | GA20JT12-263 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3091pF @ 800V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | - |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | 1200V (1.2kV) 45A (Tc) 282W (Tc) |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | - |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrição: | TRANS SJT 1200V 45A |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 45A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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