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GAP3SLT33-214
- Modelo do Produto:
- GAP3SLT33-214
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrição:
- DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15834 Pieces
- Ficha de dados:
- GAP3SLT33-214.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para GAP3SLT33-214, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para GAP3SLT33-214 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 2.2V @ 300mA |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 3300V (3.3kV) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DO-214AA |
| Velocidade: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 0ns |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | DO-214AA, SMB |
| Outros nomes: | 1242-1172-2 GAP3SLT33214 |
| Temperatura de Operação - Junção: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 18 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | GAP3SLT33-214 |
| Descrição expandida: | Diode Silicon Carbide Schottky 3300V (3.3kV) 300mA (DC) Surface Mount DO-214AA |
| Tipo Diode: | Silicon Carbide Schottky |
| Descrição: | DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 10µA @ 3300V |
| Atual - rectificada média (Io): | 300mA (DC) |
| Capacitância @ Vr, F: | 42pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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