GB02SLT12-252
GB02SLT12-252
Modelo do Produto:
GB02SLT12-252
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição:
DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18966 Pieces
Ficha de dados:
GB02SLT12-252.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.8V @ 2A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):1200V (1.2kV)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252
Velocidade:No Recovery Time > 500mA (Io)
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):0ns
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:1242-1138-6
Temperatura de Operação - Junção:-55°C ~ 175°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:GB02SLT12-252
Descrição expandida:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 5A (DC) Surface Mount TO-252
Tipo Diode:Silicon Carbide Schottky
Descrição:DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252
Atual - dispersão reversa @ Vr:50µA @ 1200V
Atual - rectificada média (Io):5A (DC)
Capacitância @ Vr, F:131pF @ 1V, 1MHz
Email:[email protected]

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