GP1M005A050HS
GP1M005A050HS
Modelo do Produto:
GP1M005A050HS
Fabricante:
Global Power Technologies Group
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 4A TO220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14599 Pieces
Ficha de dados:
GP1M005A050HS.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.85 Ohm @ 2A, 10V
Dissipação de energia (Max):92.5W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:1560-1160-1
1560-1160-1-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:GP1M005A050HS
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:602pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 500V 4A (Tc) 92.5W (Tc) Through Hole TO-220
Escorra a tensão de fonte (Vdss):500V
Descrição:MOSFET N-CH 500V 4A TO220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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