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GP1M016A060N
- Modelo do Produto:
- GP1M016A060N
- Fabricante:
- Global Power Technologies Group
- Descrição:
- MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 13551 Pieces
- Ficha de dados:
- GP1M016A060N.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para GP1M016A060N, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para GP1M016A060N por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-3PN |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 470 mOhm @ 8A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 312W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Outros nomes: | 1560-1188-1 1560-1188-1-ND |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | GP1M016A060N |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3039pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 53nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 600V 16A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 600V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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| Imagem | Modelo do Produto | Fabricantes | Descrição | Visão |
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