GP2M005A060PG
GP2M005A060PG
Modelo do Produto:
GP2M005A060PG
Fabricante:
Global Power Technologies Group
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19339 Pieces
Ficha de dados:
GP2M005A060PG.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I-Pak
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.1 Ohm @ 2.1A, 10V
Dissipação de energia (Max):98.4W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:GP2M005A060PG
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:658pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 4.2A (Tc) 98.4W (Tc) Through Hole I-Pak
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.2A (Tc)
Email:[email protected]

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