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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - IGBTs - Single > GPA030A135MN-FDR
GPA030A135MN-FDR
GPA030A135MN-FDR
Modelo do Produto:
GPA030A135MN-FDR
Fabricante:
Global Power Technologies Group
Descrição:
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14358 Pieces
Ficha de dados:
GPA030A135MN-FDR.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):1350V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.4V @ 15V, 30A
Condição de teste:600V, 30A, 5 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:30ns/145ns
Alternando Energia:4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3PN
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):450ns
Power - Max:329W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-3
Outros nomes:1560-1221-1
1560-1221-1-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:GPA030A135MN-FDR
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
portão de carga:300nC
Descrição expandida:IGBT Trench Field Stop 1350V 60A 329W Through Hole TO-3PN
Descrição:IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Atual - Collector Pulsada (ICM):90A
Atual - Collector (Ic) (Max):60A
Email:[email protected]

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Imagem Modelo do Produto Fabricantes Descrição Visão
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