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GT10G131(TE12L,Q)
- Modelo do Produto:
- GT10G131(TE12L,Q)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- IGBT 400V 1W 8-SOIC
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19039 Pieces
- Ficha de dados:
- GT10G131(TE12L,Q).pdf
Introdução
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Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 400V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ VGE, Ic: | 2.3V @ 4V, 200A |
| Condição de teste: | - |
| Td (ligar / desligar) @ 25 ° C: | 3.1µs/2µs |
| Alternando Energia: | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Série: | - |
| Power - Max: | 1W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | GT10G131(TE12L,Q) |
| Tipo de entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | - |
| Descrição expandida: | IGBT 400V 1W Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) |
| Descrição: | IGBT 400V 1W 8-SOIC |
| Atual - Collector Pulsada (ICM): | 200A |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | - |
| Email: | [email protected] |
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