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GT60N321(Q)
- Modelo do Produto:
- GT60N321(Q)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17375 Pieces
- Ficha de dados:
- GT60N321(Q).pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para GT60N321(Q), temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para GT60N321(Q) por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 1000V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ VGE, Ic: | 2.8V @ 15V, 60A |
| Condição de teste: | - |
| Td (ligar / desligar) @ 25 ° C: | 330ns/700ns |
| Alternando Energia: | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-3P(LH) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 2.5µs |
| Power - Max: | 170W |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-3PL |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | GT60N321(Q) |
| Tipo de entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | - |
| Descrição expandida: | IGBT 1000V 60A 170W Through Hole TO-3P(LH) |
| Descrição: | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
| Atual - Collector Pulsada (ICM): | 120A |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 60A |
| Email: | [email protected] |
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| Imagem | Modelo do Produto | Fabricantes | Descrição | Visão |
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