GT8G133(TE12L,Q)
Modelo do Produto:
GT8G133(TE12L,Q)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
IGBT 400V 600MW 8TSSOP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16679 Pieces
Ficha de dados:
GT8G133(TE12L,Q).pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):400V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.9V @ 4V, 150A
Condição de teste:-
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:1.7µs/2µs
Alternando Energia:-
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-TSSOP
Série:-
Power - Max:600mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:GT8G133(TE12L,Q)
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:-
Descrição expandida:IGBT 400V 600mW Surface Mount 8-TSSOP
Descrição:IGBT 400V 600MW 8TSSOP
Atual - Collector Pulsada (ICM):150A
Atual - Collector (Ic) (Max):-
Email:[email protected]

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