HAT2169H-EL-E
HAT2169H-EL-E
Modelo do Produto:
HAT2169H-EL-E
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16563 Pieces
Ficha de dados:
HAT2169H-EL-E.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:LFPAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.5 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max):30W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-100, SOT-669
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:HAT2169H-EL-E
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6650pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 40V 50A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount LFPAK
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição:MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:50A (Ta)
Email:[email protected]

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