HGTD1N120BNS9A
HGTD1N120BNS9A
Modelo do Produto:
HGTD1N120BNS9A
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18298 Pieces
Ficha de dados:
HGTD1N120BNS9A.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.9V @ 15V, 1A
Condição de teste:960V, 1A, 82 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:15ns/67ns
Alternando Energia:70µJ (on), 90µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252AA
Série:-
Power - Max:60W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:HGTD1N120BNS9A-ND
HGTD1N120BNS9ATR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:HGTD1N120BNS9A
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:NPT
portão de carga:14nC
Descrição expandida:IGBT NPT 1200V 5.3A 60W Surface Mount TO-252AA
Descrição:IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Atual - Collector Pulsada (ICM):6A
Atual - Collector (Ic) (Max):5.3A
Email:[email protected]

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