HN1A01FE-Y,LF
HN1A01FE-Y,LF
Modelo do Produto:
HN1A01FE-Y,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12608 Pieces
Ficha de dados:
HN1A01FE-Y,LF.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 10mA, 100mA
Tipo transistor:2 PNP (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ES6
Série:-
Power - Max:100mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-563, SOT-666
Outros nomes:HN1A01FE-Y(T5L,F,T
HN1A01FE-Y(T5LFTTR
HN1A01FE-Y(T5LFTTR-ND
HN1A01FE-Y,LF(B
HN1A01FE-Y,LF(T
HN1A01FE-YLF(BTR
HN1A01FE-YLF(BTR-ND
HN1A01FE-YLFTR
HN1A01FEYLFTR
HN1A01FEYLFTR-ND
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:HN1A01FE-Y,LF
Frequência - Transição:80MHz
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
Descrição:TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:120 @ 2mA, 6V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):150mA
Email:[email protected]

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