HN1B04FU-GR,LF
HN1B04FU-GR,LF
Modelo do Produto:
HN1B04FU-GR,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17765 Pieces
Ficha de dados:
HN1B04FU-GR,LF.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 10mA, 100mA
Tipo transistor:NPN, PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor:US6
Série:-
Power - Max:200mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:HN1B04FU-GR(L,F,T)
HN1B04FU-GR(LFT)TR
HN1B04FU-GR(LFT)TR-ND
HN1B04FU-GR,LF(B
HN1B04FU-GR,LF(T
HN1B04FU-GRLF
HN1B04FU-GRLF-ND
HN1B04FU-GRLFT
HN1B04FU-GRLFTR
Temperatura de operação:125°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:HN1B04FU-GR,LF
Frequência - Transição:150MHz
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW Surface Mount US6
Descrição:TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:200 @ 2mA, 6V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):150mA
Email:[email protected]

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