HN4A06J(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage - Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- HN4A06J(TE85L,F)

HN4A06J(TE85L,F)

Modelo do Produto:: HN4A06J(TE85L,F)

Fabricante:: Toshiba Semiconductor

Descrição:: TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV

Status sem chumbo / Status RoHS:: Sem chumbo / acordo com RoHS

Quantidade disponível:: 14441 Pieces

Ficha de dados:: HN4A06J(TE85L,F).pdf

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):	120V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor:	2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Embalagem do dispositivo fornecedor:	SMV
Série:	-
Power - Max:	300mW
Embalagem:	Original-Reel®
Caixa / Gabinete:	SC-74A, SOT-753
Outros nomes:	HN4A06J(TE85LF)DKR
Temperatura de operação:	150°C (TJ)
Tipo de montagem:	Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):	1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:	HN4A06J(TE85L,F)
Frequência - Transição:	100MHz
Descrição expandida:	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
Descrição:	TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:	200 @ 2mA, 6V
Atual - Collector Cutoff (Max):	100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):	100mA
Email:	[email protected]

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